IRG4BC20UD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

600V IGBT 与超快8-40 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-220AB 封装中

特性 Features

• 经过优化的 8-40 kHz 的硬开关高工作频率
• IGBT 的设计提供更紧凑的参数分布和更高的效率
• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT，在桥配置中使用
• 行业标准 TO-220AB 封装
• 无铅

优势:
• IGBT 提供可实现的高效率
• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT
• HEXFRED 二极管经过与 IGBT 并用优化。恢复特性最小化，对缓冲的要求更少甚至不需要
• 旨在“直接替代”同等行业内标准的第三代 IR IGBT

应用 Application

• 照明氙气灯
• 太阳能
• 不间断电源（UPS）

简介

IRG4BC20UD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC20UD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。