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IRG4BC30U-S数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRG4BC30U-S

参数属性

IRG4BC30U-S 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 23A 100W D2PAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IGBT 600V 23A 100W D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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IRG4BC30U-S规格书详情

特性 Features

• UltraFast: Optimized for high operating
   frequencies 8-40 kHz in hard switching, 200
   kHz in resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter
   parameter distribution and higher efficiency than
   Generation 3
• Industry standard D2Pak packageBenefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available
• IGBTs optimized for specified application conditions
• Designed to be a \"drop-in\" replacement for equivalent
   industry-standard Generation 3 IR IGBTs

简介

IRG4BC30U-S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC30U-S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    IRG4BC30U-S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    160µJ(开),200µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    17ns/78ns

  • 测试条件:

    480V,12A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 23A 100W D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
3400
原装现货,当天可交货,原型号开票
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IR/VISHAY
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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23+
TO-263
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
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07+
TO-263
1600
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24+
TO-263
9000
只做原装,欢迎询价,量大价优
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1802+
TO-263
6528
只做原装正品现货,或订货假一赔十!
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23+
D2-PAK
7300
专注配单,只做原装进口现货
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2023+
D2-PAK
50000
原装现货
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IR
23+
TO-263
28000
原装正品
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