IRG4BC30W数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRG4BC30W |
参数属性 | IRG4BC30W 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 23A 100W TO220AB |
功能描述 | 600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT,采用 TO-220AB 封装 |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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IRG4BC30W规格书详情
应用 Application
• 家用空调
• 洗碗机
• 风扇
• PFC
• 泵
• 洗衣机
简介
IRG4BC30W属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4BC30W晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRG4BC30W
- 生产厂家
:Infineon
- Technology
:IGBT Gen 4
- Switching Frequency min max
:8.0kHz 30.0kHz
- Package
:TO-220
- Voltage Class max
:600.0V
- IC(@100°) max
:12.0A
- IC(@25°) max
:23.0A
- ICpuls max
:92.0A
- Ptot max
:100.0W
- VCE(sat)
:2.1V
- Eon
:0.13mJ
- Eoff(Hard Switching)
:0.13mJ
- td(on)
:20.0ns
- tr
:13.0ns
- td(off)
:180.0ns
- tf
:140.0ns
- QGate
:50.0nC
- Ets (max)
:0.26mJ (0.35mJ)
- Switching Frequency
:Gen 4 8-30 kHz
- VCE max
:600.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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