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IRG4BC40W	文件：129.449 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A) Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT 文件：129.449 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40WL	文件：343.85 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT 文件：343.85 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40WPBF	文件：207.81 Kbytes Page：9 Pages	ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT 文件：207.81 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40WS	文件：343.85 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT 文件：343.85 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40WSPBF	文件：357.47 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT 文件：357.47 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40WPBF	文件：283.94 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：283.94 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40WPBF_15	文件：283.94 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：283.94 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40WSPBF	文件：357.47 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：357.47 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40WSPBF_15	文件：357.47 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：357.47 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4BC40W	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4BC40W
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，20A
开关能量：
110µJ（开），230µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
27ns/100ns
测试条件：
480V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 40A 160W TO220AB

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