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IRG4BC30F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Generation4IGBTsoff

IRF

International Rectifier

IRG4BC30F

Fit Rate / Equivalent Device Hours

IRF

International Rectifier

IRG4BC30F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4BC30F

600V 快速 1-8 kHz 分立 IGBT,采用 TO-220AB 封装;

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IRG4BC30F

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IRG4BC30FD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-s

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IRG4BC30FD1

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH HYPERFAST DIODE

FastCoPackIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHHYPERFASTDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FD1PBF

Fast CoPack IGBT

Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IGBTco-packagedwithHyperfastFREDdiodesforultralo

IRF

International Rectifier

IRG4BC30FDPBF

Fast CoPack 1GBT ( VCES = 600V , VCE(on)typ. = 1.59V , VGE = 15V , IC = 17A )

FastCoPackIGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythan

IRF

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IRG4BC30FD-S

600V HyperFast 1-8 kHz Co-Pack IGBT in a D2-Pak package; • 对中等工作频率进行了优化\n• 参数分布更紧凑,效率更高\n• 与 HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可实现的出色效率\n• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT\n• HEXFRED 二极管与 IGBT 并用优化。恢复特性最小化,对缓冲的要求更少甚至不需要。\n• 旨在“直接替代”同等行业内标准的第三代 IR IGBT\n;

600V IGBT 与 hyperfast 1-8 kHz 二极管联合封装到 D2-Pak 封装中\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC30F

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,17A

  • 开关能量:

    230µJ(开),1.18mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    21ns/200ns

  • 测试条件:

    480V,17A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 31A 100W TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
04+
TO-220AB
1000
全新原装 绝对有货
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IR
23+
TO-220
35890
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IR
24+
原厂封装
2000
原装现货假一罚十
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IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
询价
INFINEON
1503+
TO-220
3000
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
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Infineon
22+
NA
2118
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23+
TO
50000
全新原装正品现货,支持订货
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IR
21+
TO-220
10000
原装现货假一罚十
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Infineon Technologies
22+
TO220AB
9000
原厂渠道,现货配单
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IR
22+
TO-220
12245
现货,原厂原装假一罚十!
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更多IRG4BC30F供应商 更新时间2025-7-27 9:17:00