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IRG4BC30F

600V 快速 1-8 kHz 分立 IGBT,采用 TO-220AB 封装

Infineon

英飞凌

IRG4BC30F

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB

Infineon

英飞凌

IRG4BC30FD-S

600V HyperFast 1-8 kHz Co-Pack IGBT in a D2-Pak package

600V IGBT 与 hyperfast 1-8 kHz 二极管联合封装到 D2-Pak 封装中 • 对中等工作频率进行了优化\n• 参数分布更紧凑,效率更高\n• 与 HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可实现的出色效率\n• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT\n• HEXFRED 二极管与 IGBT 并用优化。恢复特性最小化,对缓冲的要求更少甚至不需要。\n• 旨在“直接替代”同等行业内标准的第三代 IR IGBT;

Infineon

英飞凌

IRG4BC30FD1

600V 快速 1-5 kHz 硬开关Copack IGBT,采用 TO-220AB 封装, >20kHz 谐振模式

Infineon

英飞凌

IRG4BC30FD1PBF

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB

Infineon

英飞凌

IRG4BC30FDPBF

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 31A 100W TO220AB

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC30F

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,17A

  • 开关能量:

    230µJ(开),1.18mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    21ns/200ns

  • 测试条件:

    480V,17A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 31A 100W TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRG4BC30F供应商 更新时间2025-10-12 9:16:00