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IRFZ48RSPBF	文件：255.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018廓 , ID = 50A ) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFZ48RSPBF	文件：961.63 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION AdvancedPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	VishayVishay Siliconix 威世科技
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IRFZ48RSPBF

文件：255.82 Kbytes

Page：10 Pages

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018廓 , ID = 50A )

Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRFZ48RSPBF

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Page：8 Pages

Power MOSFET

DESCRIPTION AdvancedPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext

VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFZ48RSPBF

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Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

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详细参数

型号：
IRFZ48RSPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFZ48RSPBF供应商更新时间2024-4-26 14:14:00

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