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IRFZ24PBF	文件：1.23386 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissi 文件：1.23386 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFZ24PBF	文件：354.99 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide th 文件：354.99 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFZ24PBF	文件：235.81 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：235.81 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFZ24PBF	文件：3.80987 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：3.80987 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFZ24PBF.	文件：354.99 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide th 文件：354.99 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
IRFZ24PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 17 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFZ24PBF供应商更新时间2025-12-24 13:44:00

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