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IRFZ46ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

Description This HEXFET®Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features comb

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IRF

IRFZ46ZPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:381.21 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFZ46ZPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:381.21 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRFZ48N

TO-220/TO-263

IR

国际整流器

上传:深圳市勤思达科技有限公司

IRFZ48NPBF

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市勤尚伟业电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    IRFZ46ZPBF

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFZ46ZPBF供应商 更新时间2026-1-29 16:30:00