| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IRTO-252 |
9700 |
17+ |
绝对原装正品现货假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
12048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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IRTO252 |
5623 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳兆威电子有限公司6年
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IRSOT-252 |
65400 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
16316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-252 |
5420 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
1645 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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IRTO-252 |
8964 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳市微纳尔电子实业有限公司1年
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INFINEONTO252 |
5200 |
21+ |
只做原装,可开税票 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
18405 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
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INFINEONTO-252 |
20000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
6000 |
19+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
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IRTO-252 |
6200 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
18000 |
21+ |
全新、原装 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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INFINEONTO-252 |
20000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IRFR13N20DTRPBF价格
IRFR13N20DTRPBF价格：￥2.6922品牌：International
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IRFR13N20DTRPBF
IRFR13N20DTRPBF
IRFR13N20DTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR13N20D制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK
IRFR13N20DCPBF功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR13N20DCTRLP功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR13N20DCTRRP功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR13N20DPBF功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR13N20DTR功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR13N20DTRL功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR13N20DTRLP功能描述:MOSFET MOSFT 200V 14A 235mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR13N20DTRPBF功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR13N20DTRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
