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IRFU1N60APBF	文件：231.61 Kbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS) ● Uninterruptable Power Supply ● Power Factor Correcti 文件：231.61 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU1N60APBF	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO 文件：156.53 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFU1N60APBF	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：270.24 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
JCS1N60C	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL MOSFET 文件：714.23 Kbytes 页数：11 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS1N60NC-O-N-N-A	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL MOSFET 文件：714.23 Kbytes 页数：11 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS1N60RC-O-R-N-A	文件：714.23 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL MOSFET 文件：714.23 Kbytes 页数：11 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

详细参数

型号：
IRFU1N60APBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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