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IRFU6215PBF	文件：246.37 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFU6215PBF	文件：3.84372 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFU6215PbF	文件：654.43 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IRFU6215PBF	文件：247.33 Kbytes Page：11 Pages	175째C Operating Temperature	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFU6215PBF	文件：247.33 Kbytes Page：11 Pages	175째C Operating Temperature	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
6215	文件：84.64 Kbytes Page：2 Pages	5.0VHCMOSSurfaceMountCrystalClockOscillator	Connor-Winfield Connor-Winfield
AN6215S	文件：56.33 Kbytes Page：5 Pages	AGCICfortelephonespeechnetwork ■Overview TheAN6215SisanAGCICfortelephonespeechnetwork,anditincorporatesanmicrophoneinputdetectioncircuitandareceivergaincontrolcircuit.Itisespeciallybestsuitedforcordlesstelephonethankstoagoodspeechtonequalityobtainedbyreducinghowlingandechosound. ■	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
AUIRF6215	文件：275.78 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRF6215S	文件：366.26 Kbytes Page：3 Pages	IscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=-13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.29Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRITION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AUIRF6215S	文件：825.78 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRF6215S	文件：1.43428 Mbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRF6215STRL	文件：1.43428 Mbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR6215	文件：490.56 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR6215	文件：3.88509 Mbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
AUIRFR6215	文件：4.61622 Mbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
AUIRFR6215	文件：273.73 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR6215TR	文件：273.73 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AUIRFR6215TRL	文件：490.56 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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AUIRFR6215TRR	文件：273.73 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
IRFU6215PBF
功能描述：
MOSFET MOSFT P-Ch -150V -13A 580mOhm 44nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFU6215PBF供应商更新时间2024-4-27 16:12:00

详细参数

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