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IRFU2405	文件：129.36 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=56A?? Description Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：129.36 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU2405	文件：247.04 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU2405	文件：901.79 Kbytes Page：10 Pages	Surface Mount (IRFR2405) 文件：901.79 Kbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU2405	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 I-Pak 封装的 55V 单 N 通道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFU2405PBF	文件：226.77 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：226.77 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU2405PBF	文件：3.83412 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：3.83412 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU2405PBF	文件：3.82933 Mbytes Page：10 Pages	Surface Mount (IRFR2405) Straight Lead (IRFU2405) Advanced Process Technology Description Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：3.82933 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU2405PBF	文件：217.62 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn 文件：217.62 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU2405PbF	文件：226.77 Kbytes Page：11 Pages	Surface Mount (IRFR2405) 文件：226.77 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU2405PBFAKLA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

OPN：
IRFU2405PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
IPAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
16 mΩ
ID @25°C max：
56 A
QG typ @10V：
70 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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