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IRFPG40PBF	文件：866.16 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(on) = 3.5廓 , ID = 4.3A ) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFPG40PBF	文件：1.55707 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技
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IRFPG40PBF

文件：866.16 Kbytes

Page：8 Pages

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(on) = 3.5廓 , ID = 4.3A )

DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevels

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRFPG40PBF

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Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFPG40PBF

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Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

详细参数

型号：
IRFPG40PBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 1000V 4.3 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFPG40PBF供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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