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IRFR024NPBF	文件：401.32 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：401.32 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR024NPBF	文件：4.03053 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：4.03053 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR024NPBF	文件：4.00212 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：4.00212 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR024NPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE 文件：406.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR024NPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：406.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR024NPBF_15	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE 文件：406.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

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千层芯半导体(深圳)有限公司	IRFR024NPBF	IR	24+	SMD	12000	原厂/代理渠道价格优势	询价

更多IRFR024NPBF供应商更新时间2025-12-14 14:13:00