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IRFPS3810PBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description The HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provid

文件:173.31 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFPS3810PBF

Advanced Process Technology

文件:178.79 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFPS3810PBF_15

Advanced Process Technology

文件:178.79 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

MAN3810A

0.300-INCH SEVEN SEGMENT DISPLAYS

文件:700.2 Kbytes 页数:8 Pages

QT

TDA3810

Spatial, stereo and pseudo-stereo sound circuit

文件:50.3 Kbytes 页数:7 Pages

PHI

PHI

PHI

UCC3810

Dual Channel Synchronized Current Mode PWM

文件:469.23 Kbytes 页数:8 Pages

TI

德州仪器

详细参数

  • 型号:

    IRFPS3810PBF

  • 功能描述:

    MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFPS3810PBF供应商 更新时间2026-10-31 13:53:00