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NDT2955供应商库存 共有98条更新时间:2022-12-5 20:32:00

2955中文资料资料下载文件大小:52 Kbytes页面数量:3 页描述:1500 MHz Center Frequency厂家:KR [KR Electronics, Inc.]
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NDT2955(J23Z)制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-223

NDT2955_02制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

NDT2955-CUT TAPE制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDT Series P-Channel 60 V 300 mO Field Effect Transistor SOT-223

NDT2955_Q功能描述:MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDT2955_J23Z功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NDT2955_F081制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:NDT2955_F081

NDT2955功能描述:MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube