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IRFP4668PBF	文件：293 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFP4668PBF	文件：929.02 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFP4668PBF	文件：293 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFP4668PBF_15	文件：293 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
4668	文件：108.28 Kbytes Page：1 Pages	VarnishedChokes	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
4668	文件：44.45 Kbytes Page：1 Pages	HighQ,highself-resonantfrequency SpecialFeatures •HighQ,highself-resonant frequency •Highvoltageapplication •Singlelayeror3-piuniversal wound •Lowcost •Varnishcoated •Operatingtemperature: phenolic-55to+125°C iron&ferrite-55to+105°C •Currenttocause35°Cmaximum temperaturerise	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
4668-RC	文件：108.28 Kbytes Page：1 Pages	VarnishedChokes	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
4668-RC	文件：108.28 Kbytes Page：1 Pages	HighQ,highself-resonantfrequency	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
ADN4668	文件：286.98 Kbytes Page：12 Pages	3VLVDSQuadCMOSDifferentialLineReceiver GENERALDESCRIPTION TheADN4668isaquad-channelCMOS,lowvoltagedifferentialsignaling(LVDS)linereceiverofferingdataratesofover400Mbps(200MHz)andultralowpowerconsumption.ItfeaturesaflowthroughpinconfigurationforeasyPCBlayoutandseparationofinputandoutputsign	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADN4668	文件：593.25 Kbytes Page：12 Pages	LVDSandM-LVDSCircuitImplementationGuide INTRODUCTION Lowvoltagedifferentialsignaling(LVDS)isastandardforcommunicatingathighspeedinpoint-to-pointapplications.MultipointLVDS(M-LVDS)isasimilarstandardformultipointapplications.BothLVDSandM-LVDSusedifferentialsignaling,atwo-wirecommunicationmethodwherer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADN4668	文件：286.98 Kbytes Page：12 Pages	3VLVDSQuadCMOSDifferentialLineReceiver GENERALDESCRIPTION TheADN4668isaquad-channelCMOS,lowvoltagedifferentialsignaling(LVDS)linereceiverofferingdataratesofover400Mbps(200MHz)andultralowpowerconsumption.Itfeaturesaflow-throughpinconfigurationforeasyPCBlayoutandseparationofinputandoutputsignal	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADN4668	文件：306.93 Kbytes Page：12 Pages	3VLVDSQuadCMOSDifferentialLineReceiver GENERALDESCRIPTION TheADN4668isaquad-channelCMOS,lowvoltagedifferentialsignaling(LVDS)linereceiverofferingdataratesofover400Mbps(200MHz)andultralowpowerconsumption.ItfeaturesaflowthroughpinconfigurationforeasyPCBlayoutandseparationofinputandoutputsign	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADN4668ARUZ	文件：306.93 Kbytes Page：12 Pages	3VLVDSQuadCMOSDifferentialLineReceiver GENERALDESCRIPTION TheADN4668isaquad-channelCMOS,lowvoltagedifferentialsignaling(LVDS)linereceiverofferingdataratesofover400Mbps(200MHz)andultralowpowerconsumption.ItfeaturesaflowthroughpinconfigurationforeasyPCBlayoutandseparationofinputandoutputsign	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADN4668ARUZ	文件：286.98 Kbytes Page：12 Pages	3VLVDSQuadCMOSDifferentialLineReceiver GENERALDESCRIPTION TheADN4668isaquad-channelCMOS,lowvoltagedifferentialsignaling(LVDS)linereceiverofferingdataratesofover400Mbps(200MHz)andultralowpowerconsumption.Itfeaturesaflow-throughpinconfigurationforeasyPCBlayoutandseparationofinputandoutputsignal	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADN4668ARZ	文件：286.98 Kbytes Page：12 Pages	3VLVDSQuadCMOSDifferentialLineReceiver GENERALDESCRIPTION TheADN4668isaquad-channelCMOS,lowvoltagedifferentialsignaling(LVDS)linereceiverofferingdataratesofover400Mbps(200MHz)andultralowpowerconsumption.Itfeaturesaflow-throughpinconfigurationforeasyPCBlayoutandseparationofinputandoutputsignal	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
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IIRFP4668	文件：335.92 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFP4668	文件：335.92 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
LM4668	文件：472.21 Kbytes Page：14 Pages	10WHigh-EfficiencyMonoBTLAudioPowerAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LM4668LD	文件：472.21 Kbytes Page：14 Pages	10WHigh-EfficiencyMonoBTLAudioPowerAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司

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详细参数

型号：
IRFP4668PBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 200V 130A 2.6mOhm 161nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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