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IRFP360	文件：50.32 Kbytes Page：2 Pages	MegaMOS FET Features •Fastswitchingtimes •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Highcommutingdv/dtrating Applications •DCchoppers •MotorControls •Switch-modeandresonant-mode •Uninterruptablepowersupplies(UPS) Adva	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP360	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES •DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) •FastSwitching DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP360	文件：640.42 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs TheIRFP360andIRFP362areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperationThesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingre	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP360	文件：284.4 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrated •Repetitiveavalancherated •Isolatedcentralmountinghole •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360	文件：55.31 Kbytes Page：7 Pages	23A, 400V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP360	文件：164.15 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFP360	文件：962.94 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360	文件：1.032369 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360_V01	文件：284.4 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrated •Repetitiveavalancherated •Isolatedcentralmountinghole •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinfo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360LC	文件：343.84 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A) Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFP360
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 23 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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