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IRFP360LC	文件：311.46 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Ultralowgatecharge •Reducedgatedriverequirement •Enhanced30VVGSrating •ReducedCiss,Coss,Crss •Isolatedcentralmountinghole •DynamicdV/dtrated •Repetitiveavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/do	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360LC_V02	文件：311.46 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Ultralowgatecharge •Reducedgatedriverequirement •Enhanced30VVGSrating •ReducedCiss,Coss,Crss •Isolatedcentralmountinghole •DynamicdV/dtrated •Repetitiveavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/do	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360LCPBF	文件：347.88 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThisnewseriesofLowChargeHEXFETPowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHexfettechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFP360LC	文件：260.38 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360LC	文件：1.04588 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360LC	文件：325.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP360LC	文件：1.06844 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360LC_17	文件：1.04588 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360LC_V01	文件：1.06844 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP360LCPBF	文件：260.38 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFP360
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 23 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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