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IRFP360LC	文件：311.46 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Ultra low gate charge • Reduced gate drive requirement • Enhanced 30 V VGS rating • Reduced Ciss, Coss, Crss • Isolated central mounting hole • Dynamic dV/dt rated • Repetitive avalanche rated • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/do 文件：311.46 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFP360LC	文件：343.84 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A) Description This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Hexfet technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and increased total system savings. The 文件：343.84 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP360LC	文件：325.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：325.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP360LC	文件：260.38 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：260.38 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFP360LC	文件：1.04588 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.04588 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFP360LC	文件：1.06844 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：1.06844 Mbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFP360LC_V02	文件：311.46 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Ultra low gate charge • Reduced gate drive requirement • Enhanced 30 V VGS rating • Reduced Ciss, Coss, Crss • Isolated central mounting hole • Dynamic dV/dt rated • Repetitive avalanche rated • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/do 文件：311.46 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFP360LCPBF	文件：347.88 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description This new series of Low Charge HEXFET Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing advanced Hexfet technology the device improvements allow for reduced gate drive requirements, faster switching speeds and increased total system savings. The 文件：347.88 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP360LC_17	文件：1.04588 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.04588 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFP360LC_V01	文件：1.06844 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：1.06844 Mbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
IRFP360LC
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 23 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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