D Series Power MOSFET

FEATURES • Optimal Design    - Low Area Specific On-Resistance    - Low Input Capacitance (Ciss)    - Reduced Capacitive Switching Losses    - High Body Diode Ruggedness    - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation    - Low Cost    - Simple Gate Drive Circuitry   

文件：188.95 Kbytes 页数：9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

D Series Power MOSFET

文件：214.41 Kbytes 页数：10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Square Type

文件：31.86 Kbytes 页数：1 Pages

PANASONIC

松下

ULTRAFAST RECTIFIERS 4.0 AMPERES 200-600 VOLTS

文件：100.14 Kbytes 页数：6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

Silicon P-Channel JFET Transistor AF Amp

Absolute Maximum Ratings: Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V Reverse Gate–Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V Gate Current, IG . . . . . . .

文件：21.48 Kbytes 页数：2 Pages

NTE