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IRFP150MPBF_15	文件：1.14705 Mbytes Page：8 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：1.14705 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
QM150DY-H	文件：89.13 Kbytes Page：5 Pages	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE • IC Collector current ........................ 150A • VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V • hFE DC current gain............................. 750 • Insulated Type • UL Recognized Yellow Card No. E80276 (N) 文件：89.13 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
QM150DY-HBK	文件：89.13 Kbytes Page：5 Pages	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE • IC Collector current ........................ 150A • VCEX Collector-emitter voltage ........... 600V • hFE DC current gain............................. 750 • Insulated Type • UL Recognized Yellow Card No. E80276 (N) 文件：89.13 Kbytes 页数：5 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
RM150CZ-H	文件：48.81 Kbytes Page：3 Pages	HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE • IF(AV) Average forward current .......... 150A • VRRM Repetitive peak reverse voltage .............. 400/800/1200/1600V • DOUBLE ARMS • Insulated Type • UL Recognized Yellow Card No. E80276 (N) File No. E80271 APPLICATION AC motor controllers, DC 文件：48.81 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

详细参数

型号：
IRFP150MPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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