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IRFL9014TRPBF	文件：1.03697 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL9014TRPBF	文件：1.68613 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IRFL9014TRPBFA	文件：174.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFL9014TRPBF-BE3AB	文件：174.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
9014	文件：27.43 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR FEATURES Powerdissipation PCM:0.4W(Tamb=25°C) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V	WINGSWing Shing Computer Components Wing Shing Computer Components
9014	文件：698.38 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TO-92Plastic-EncapsulateTransistors NPNsilicon	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. Daya Electric Group Co., Ltd.
9014	文件：103.59 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintofourgroups,A,B,C andD,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypethePNPtransistorST9015is recommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
9014	文件：181.22 Kbytes Page：16 Pages	FairchildQFETforSynchronousRectification Introduction FairchildiscurrentlydevelopingandmarketinganewQFETseriesthathasimprovedRDS(on),gatecharge,andswitchingspeedcharacteristics.ThesuperiorfeaturesoftheseQFETsareveryusefulforincreasingtheefficiencyoflowoutputvoltagepowersupplies,makingitspecially	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
9014	文件：107.03 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR PRE-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE FEATURES Hightotalpowerdissipation.(450mW) ExcellenthFElinearity. *ComplementarytoUTC9015	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
9014	文件：1.06875 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistor	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
9014B	文件：163.4 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNEpitaxialTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
9014C	文件：107.03 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR PRE-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE FEATURES Hightotalpowerdissipation.(450mW) ExcellenthFElinearity. *ComplementarytoUTC9015	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
9014M	文件：710.53 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
9014MG	文件：699.98 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
9014Q	文件：449.73 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSNPNSILICON	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
9014R	文件：449.73 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSNPNSILICON	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
9014S	文件：449.73 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSNPNSILICON	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
9014T	文件：449.73 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSNPNSILICON	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
9014T	文件：1.0064 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
9014W	文件：686.83 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

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详细参数

型号：
IRFL9014TRPBF
功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFL9014TRPBF供应商更新时间2024-4-27 16:21:00

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