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IRFIBF30GPBF	文件：920.99 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5KVRMS •SinktoLeadCreepageDis.=4.8mm	IRF International Rectifier	IRF
IRFIBF30GPBF	文件：1.4616 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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HEXFET Power MOSFET

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5KVRMS •SinktoLeadCreepageDis.=4.8mm

IRF

International Rectifier

IRF

IRFIBF30GPBF

文件：1.4616 Mbytes

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Power MOSFET

DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

详细参数

型号：
IRFIBF30GPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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