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IRFL024NTRPBF	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024Z	文件：269.18 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=57.5mΩ ID=5.1A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea150°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024ZPBF	文件：191.38 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=57.5mΩ ID=5.1A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea150°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024ZPBF	文件：269.75 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024ZTRPBF	文件：269.75 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024	文件：172.77 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignedwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024	文件：1.98595 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR024	文件：1.16522 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR024	文件：1.16522 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR024	文件：1.04466 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFL024NTRPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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