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IRFL024Z	文件：269.18 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 57.5mΩ ID = 5.1A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction op 文件：269.18 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFL024ZPBF	文件：191.38 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 57.5mΩ ID = 5.1A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction op 文件：191.38 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
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