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功能描述/丝印

制造商上传企业

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IRFIBC40GLCPBF

文件：991.44 Kbytes

Page：9 Pages

HEXFET Power MOSFET

Description ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri

IRF

International Rectifier

IRF

详细参数

型号：
IRFIBC40GLCPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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