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IRFIZ24E	文件：114.75 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.071ohm, Id=14A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFIZ24G	文件：1.57762 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ24G	文件：4.82053 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFIZ24GPBF	文件：927.46 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industri	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFIZ24GPBF	文件：1.57762 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ24GPBF	文件：4.82053 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFIZ24N	文件：105.4 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=14A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFIZ24NPBF	文件：218.35 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFIZ24V	文件：83.85 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.060ohm, Id=14A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFIZ24A	文件：274.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFIZ24G	文件：319.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFIZ24G	文件：909.58 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ24G	文件：1.55986 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ24G	文件：1.55986 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ24G_09	文件：1.55986 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ24G_V01	文件：909.58 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ24GPBF	文件：2.17854 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFIZ24GPBF	文件：909.58 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
IRFIZ24
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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