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IRFIZ48N

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=36A)

Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated)

文件:109.29 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFIZ48N

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:261.12 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFIZ48N

SEMICONDUCTORS

文件:2.43533 Mbytes 页数:31 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

IRFIZ48NPBF

POWER MOSFET

文件:275.16 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFIZ48NPBF

Advanced Process Technology

文件:506.1 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IRFIZ48NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:276.12 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFIZ48NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:276.12 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFIZ48N

采用 TO-220 FullPak(Iso)封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Package :

    TO-220-3 FP

  • VDS max:

    55.0V

  • RDS (on)(@10V) max:

    16.0mΩ

  • RDS (on) max:

    16.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID (@ TC=100°C) max:

    25.0A

  • ID  max:

    25.0A

  • ID (@ TC=25°C) max:

    36.0A

  • Ptot max:

    42.0W

  • QG :

    59.3nC 

  • Mounting :

    THT

  • RthJC max:

    3.6K/W

  • VGS max:

    20.0V

  • Qgd :

    26.0nC 

  • Tj max:

    175.0°C

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRFIZ48N供应商 更新时间2025-10-9 19:10:00