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IRFIBF20G | Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A) 文件：168.3 Kbytes 页数：6 Pages | IRF | IRF | |
IRFIBF20G | Power MOSFET 文件：1.61418 Mbytes 页数：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | |
Power MOSFET 文件：1.61418 Mbytes 页数：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
IRFIBF20G | Power MOSFET | Vishay 威世 | Vishay | |
IRFIBF20G | Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A) | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
MOSFET N-CH900V HEXFET MOSFET | Vishay 威世 | Vishay |
详细参数
- 型号：
IRFIBF20G
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 900V 1.2 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-11-23 19:10:00
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