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IRFIBF20G

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRFIBF20G

Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A)

IRF

International Rectifier

IRFIBF20G

Power MOSFET;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRFIBF20G

Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.2A);

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IRFIBF20GPBF

MOSFET N-CH900V HEXFET MOSFET;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRFIBF20GPBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

详细参数

  • 型号:

    IRFIBF20G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 900V 1.2 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFIBF20G供应商 更新时间2025-7-30 8:10:00