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IRFIZ44NPBF	文件：508.64 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides 文件：508.64 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFIZ44NPBF	文件：262.13 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：262.13 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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