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IRFIZ34EPBF	文件：262.04 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：262.04 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024NTRPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-223	IR 国际整流器上传：深圳市创芯联盈电子有限公司	IR
IRFL024ZTRPBF	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-223	IR 国际整流器上传：深圳市勤思达科技有限公司	IR
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IRFM250	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-254	IR 国际整流器上传：深圳市毅创腾电子科技有限公司	IR

详细参数

型号：
IRFIZ34EPBF
功能描述：
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 2.7nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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