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IRFIZ44G	文件：181.34 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRFIZ44G	文件：1.42133 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIZ44G	文件：585.26 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •175°Coperatingtemperature •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIZ44G_V01	文件：585.26 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •175°Coperatingtemperature •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIZ44GPBF	文件：1.42133 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIZ44N	文件：106.55 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.024ohm, Id=31A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFIZ44NPBF	文件：262.13 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFIZ44NPBF	文件：508.64 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFIZ44A	文件：231.63 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFIZ44A	文件：274.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRFIZ44
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 30 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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