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IRFIZ44G_V01

Power MOSFET

FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •175°Coperatingtemperature •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRLIZ44G_V01

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

PZTA44G_V01

NPNSILICONTRANSISTOR

FEATURES *Collector-emittervoltage: VCEO=400V(PZTA44) VCEO=350V(PZTA45) *Collectorcurrentupto300mA APPLICATION *Telephoneswitching *Highvoltageswitch

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

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更多IRFIZ44G_V01供应商 更新时间2024-9-24 18:24:00