Power MOSFET

FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.co

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VishayVishay Siliconix

威世科技

Power MOSFET

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威世科技

NPN SILICON TRANSISTOR

FEATURES * Collector-emitter voltage: VCEO=400V(PZTA44) VCEO=350V(PZTA45) * Collector current up to 300mA APPLICATION * Telephone switching * High voltage switch

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DGNJDZ

南晶电子

IR
SOT-223

IR

国际整流器

上传：深圳市创芯联盈电子有限公司

IR
SOT-223

IR

国际整流器

上传：深圳市勤思达科技有限公司