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IRFIZ44G

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFIZ44G

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFIZ44G

iscN-Channel MOSFET Transistor

文件:318.98 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFIZ44G_09

Power MOSFET

文件:1.39603 Mbytes 页数:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFIZ44GPBF

Power MOSFET

文件:1.39603 Mbytes 页数:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFIZ44GPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

文件:3.4413 Mbytes 页数:7 Pages

IRF

IRFIZ44N

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:260.019 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFIZ44NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:271.08 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFIZ44NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:271.08 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRFIZ44N

采用 TO-220 FullPak 封装的 55V 单 N 通道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRFIZ44

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT 55V 28A 24mOhm 43.3nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFIZ44供应商 更新时间2025-11-23 16:20:00