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IRFIZ34G	文件：3.01432 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applica 文件：3.01432 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ34G	文件：1.56298 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.co 文件：1.56298 Mbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ34G	文件：285.12 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：285.12 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFIZ34G	文件：2.98969 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：2.98969 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ34G	文件：319.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：319.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIZ34G	文件：2.98969 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：2.98969 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ34G_V01	文件：1.56298 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.co 文件：1.56298 Mbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ34GPBF	文件：1.32181 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：1.32181 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFIZ34GPBF	文件：3.01432 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applica 文件：3.01432 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFIZ34G_09	文件：2.98969 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：2.98969 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

技术参数

漏源电压（Vdss）：
60V
栅源极阈值电压（最大值）：
4V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：
50 mΩ @ 12A，10V
类型：
N 沟道
功率耗散（最大值）：
42W（Tc）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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