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IRFIZ34G_V01

文件：1.56298 Mbytes

Page：10 Pages

Power MOSFET

FEATURES •Isolatedpackage •Highvoltageisolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •Sinktoleadcreepagedistance=4.8mm •175°Coperatingtemperature •DynamicdV/dtrating •Lowthermalresistance •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

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更多IRFIZ34G_V01供应商更新时间2025-5-23 18:31:00

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