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IRFR330	文件：671.71 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR330A	文件：321.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR330B	文件：671.71 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR330B	文件：321.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU330	文件：112.95 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFU330A	文件：345.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU330B	文件：671.71 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFU330B	文件：345.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFY330	文件：11.41 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO257ABMetalPackage N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO257ABMetalPackage. VDSS=400V ID=5.5A RDS(ON)=1.2Ω	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFY330C	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealed	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

技术参数

功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFJ340	IR	22+	TO-3	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRFJ340	IR	23+	TO-3	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRFJ340	IR	23+	TO-3	7000		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRFJ431	MOTOROLA/摩托罗拉	23+	TO3	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRFK20450	IR	23+	模块	3562		询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	IRFK20450	IR	21+	模块	12588	原装正品,一级品牌代理	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRFK20450	IR	23+	MODULE	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多IRFJ330供应商更新时间2025-7-28 14:01:00

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