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IRFL024NTRPBF	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024Z	文件：269.18 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=57.5mΩ ID=5.1A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea150°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024ZPBF	文件：191.38 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=57.5mΩ ID=5.1A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea150°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024ZPBF	文件：269.75 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL024ZTRPBF	文件：269.75 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024	文件：172.77 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignedwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024	文件：1.98595 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR024	文件：1.16522 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
IRFL024NTR
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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