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IRFL024NTR	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount 文件：115.72 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024NTRPBF	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：115.72 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024Z	文件：269.18 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 57.5mΩ ID = 5.1A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction op 文件：269.18 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFL024ZPBF	文件：191.38 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 57.5mΩ ID = 5.1A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction op 文件：191.38 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFL024ZPBF	文件：269.75 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology 文件：269.75 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRFL024NTR
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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