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IRFL024	文件：110.16 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A) VDSS = 55V RDS(on) = 0.075Ω ID = 2.8A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：110.16 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET VDSS = 55V\nRDS(on) = 0.075Ω\nID = 2.8ADescription\nFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Powe	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFL024N	文件：110.16 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A) VDSS = 55V RDS(on) = 0.075Ω ID = 2.8A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：110.16 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024NPBF	文件：135.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 57.5mΩ ID = 5.1A Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：135.03 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024Z	文件：269.18 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 57.5mΩ ID = 5.1A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction op 文件：269.18 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFL024ZPBF	文件：191.38 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 55V RDS(on) = 57.5mΩ ID = 5.1A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 150°C junction op 文件：191.38 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFL024N	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：115.72 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024N	文件：115.72 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount 文件：115.72 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024NPBF	文件：140.38 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：140.38 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFL024NPBF_15	文件：140.38 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：140.38 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRFL024NTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SOT223
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
75 mΩ
ID @25°C max：
4 A
QG typ @10V：
12.2 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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