Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A)

Through-Hole Packags TO-220 FullPak (Fully Isolated)

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IRF

Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

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IRF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

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IRF

采用 TO-220 FullPak 封装的 55V 单 N 通道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌