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IRFIZ48	文件：169.54 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=37A) PowerMOSFET(Vdss=60VRds(on)=0.018ohmId=37A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFIZ48	文件：109.29 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=36A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFIZ48	文件：93.31 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=39A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFIZ48G	文件：1.47306 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditional insulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIZ48G	文件：169.54 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=37A) PowerMOSFET(Vdss=60VRds(on)=0.018ohmId=37A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFIZ48GPBF	文件：1.47306 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditional insulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIZ48N	文件：109.29 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.016ohm, Id=36A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFIZ48V	文件：93.31 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=39A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFIZ48V	文件：103.73 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFIZ48VPBF	文件：103.73 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFIZ48G	文件：319.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFIZ48G	文件：1.48658 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
IRFIZ48G	文件：595.78 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIZ48G	文件：1.44778 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIZ48G	文件：1.44778 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIZ48G_09	文件：1.44778 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIZ48G_V01	文件：595.78 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIZ48GPBF	文件：3.40525 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFIZ48GPBF	文件：1.44778 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFIZ48GPBF	文件：595.78 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技

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详细参数

型号：
IRFIZ48
制造商：
Vishay Intertechnologies
功能描述：
IR DOES NOT RECOGNIZE P/N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	IRFIZ48	IR	15+	TO-220F	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
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