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IRFIBE30G	文件：1.41183 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicati 文件：1.41183 Mbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIBE30G	文件：142.44 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A) HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 2.1A 文件：142.44 Kbytes 页数：5 Pages	IRF	IRF
IRFIBE30G	文件：1.4069 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：1.4069 Mbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIBE30G	文件：756.1 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：756.1 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIBE30G	文件：319.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：319.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFIBE30GPBF	文件：934.41 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0Ω, ID = 2.1A 文件：934.41 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRFIBE30GPBF	文件：1.41183 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicati 文件：1.41183 Mbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIBE30G_17	文件：1.4069 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：1.4069 Mbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIBE30G_V01	文件：756.1 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：756.1 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFIBE30GPBF	文件：756.1 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：756.1 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

技术参数

漏源电压（Vdss）：
800V
栅源极阈值电压（最大值）：
4V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：
3 Ω @ 1.3A，10V
类型：
N 沟道
功率耗散（最大值）：
35W（Tc）

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更多IRFIBE30G供应商更新时间2025-12-12 15:30:00

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