| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRFIBE30G | HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 2.1A | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
MOS(场效应管) | Vishay 威世 | Vishay |
技术参数
- 漏源电压（Vdss）：
800V
- 栅源极阈值电压（最大值）：
4V @ 250uA
- 漏源导通电阻（最大值）：
3 Ω @ 1.3A，10V
- 类型：
N 沟道
- 功率耗散（最大值）：
35W（Tc）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
IR |
2015+ |
TO-220F |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
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IR |
05+ |
TO-220 |
4000 |
全新原装 绝对有货 |
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IR |
17+ |
TO-220F |
6200 |
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IR |
24+ |
原厂封装 |
2597 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
10000 |
专做原装正品,假一罚百! |
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IR |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
IR/VISH |
24+ |
65230 |
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IR |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY |
25+ |
TO220-3 |
3000 |
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更新时间2026-1-28 13:00:00
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