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IRFIBE30GPBF中文资料IRF数据手册PDF规格书

IRFIBE30GPBF
厂商型号

IRFIBE30GPBF

功能描述

HEXFET짰 Power MOSFET

文件大小

934.41 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
IRF
数据手册

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更新时间

2025-8-5 11:48:00

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IRFIBE30GPBF规格书详情

VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0Ω, ID = 2.1A

产品属性

  • 型号:

    IRFIBE30GPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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