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IRFIBE30G中文资料PDF规格书

IRFIBE30G
厂商型号

IRFIBE30G

功能描述

Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.1A)

文件大小

142.44 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-22 9:48:00

IRFIBE30G规格书详情

HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 2.1A

产品属性

  • 型号:

    IRFIBE30G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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