IRFIBE30G中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
IRFIBE30G
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
5630 |
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IR |
2020+ |
TO-220F |
16800 |
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IR |
2016+ |
TO-220F |
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IR |
TO-220F |
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VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
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IR |
17+ |
TO-220F |
6200 |
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IR |
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to220f |
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IR |
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TO-TO-220FP |
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VISHAY/威世 |
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TO-220F |
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IR |
22+ |
TO-220F |
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