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IRFIBE20G中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

IRFIBE20G
厂商型号

IRFIBE20G

功能描述

iscN-Channel MOSFET Transistor

文件大小

319.4 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 20:00:00

IRFIBE20G规格书详情

• DESCRITION

• Switching Voltage Regulators

• FEATURES

• Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =6.5Ω (MAX)

• Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

产品属性

  • 型号:

    IRFIBE20G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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