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IRFIBF30G	文件：167.58 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=3.7ohm, Id=1.9A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5KVRMS •SinktoLeadCreepageDis.=4.8mm	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFIBF30G	文件：1.4616 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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详细参数

型号：
IRFIBF30G
功能描述：
MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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