IRFIBF30G中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRFIBF30G规格书详情
描述 Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
• Isolated Package
• High Voltage Isolation = 2.5 KVRMS
• Sink to Lead Creepage Dis. = 4.8 mm
• Dynamic dV/dt Rating
• Low Thermal Resistance
• Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRFIBF30G
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO220 |
6000 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
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VISHAY(威世) |
24+ |
TO220 |
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VISHAY进 |
24+ |
TO-220F |
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VISHAY/威世 |
2023+ |
TO220F |
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IR |
NEW |
TO-220F |
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VISHAY |
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TO220F |
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VISHAY/威世 |
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TO220F |
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VISHAY/威世 |
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TO-220F |
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VISHAY/威世 |
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